SK Hynix剛剛與Xperi Corp簽署了一項廣泛的專利與技術授權協(xié)議，其中包括Invensas開發(fā)的DBI Ultra 2.5D/3D互聯(lián)技術。作為一項專有的管芯-晶片混合互聯(lián)技術，DBI Ultra的間距低至1μm，可實現(xiàn)每平方毫米100 ~1000k的互聯(lián)。制造商可將之用于16-Hi芯片制造，下一代內(nèi)存和高度集成的多層SoC有望用上。
Xperi Corp公司稱，與傳統(tǒng)的銅柱互連技術(每平方毫米625個互聯(lián))相比，DBI Ultra支持更多的互聯(lián)數(shù)、可提供更大的帶寬。此外，DBI Ultra能夠縮短三維高度，在常規(guī)8-Hi相同的空間里實現(xiàn)16-Hi的芯片堆疊，從而帶來更大的存儲密度。DBI Ultra使用的化學黏合劑，可以不增加互連層的支撐高度，且無需銅柱或底部填充。
與其它下一代互連技術一樣，DBI Ultra支持2.5D和3D集成。還允許集成不同尺寸以及使用不同工藝技術生產(chǎn)的半導體器件。這種靈活性不僅可以造福于下一代大容量高帶寬內(nèi)存解決方案(比如3DS和HBM)，還適用于各種高度集成的CPU、GPU、ASIC、FPGA和SoC等。
盡管與傳統(tǒng)堆疊工藝使用的工藝流程有所不同，但DBI Ultra可繼續(xù)套用現(xiàn)有的模具且無需高溫，因此成品率相對較高。但這樣做肯定需要付出一定的代價，或許這也是Invensas和SK Hynix沒有明確透露DBI Ultra在下一代存儲芯片上的使用成本的一個原因。
